6月30日,韩国总统李在明在光州金大中会展中心举行的西南地区尖端产业发展愿景国民报告会上,与签署西南地区尖端产业发展投资谅解备忘录的与会人员合影留念。图片来源:大韩民国青瓦台
韩宣网7月1日电(记者姜嘉熙)韩国政府宣布将在西南地区打造第二半导体生产基地后,SK、三星电子和安靠确定将在当地投资总计896万亿韩元。
韩国产业通商部6月30日在光州金大中会展中心举行“西南地区尖端产业发展愿景国民报告会”,并公布上述内容。
当天,SK、三星电子和安靠分别发布了面向西南地区的投资计划。
SK表示,将投资约470万亿韩元,在西南地区建设两座半导体存储器核心生产设施(Fab)和一座规模达1吉瓦的人工智能数据中心。
三星电子将向湖南地区投入425万亿韩元,建设两座半导体存储器Fab及国家人工智能计算中心等项目。
两家公司计划投入总计800万亿韩元用于半导体存储器Fab建设,并追加投入95万亿韩元用于数据中心、计算中心等尖端基础设施建设。
安靠将投资1万亿韩元,在光州扩建先进封装Fab工厂。
政府将配合企业推进半导体Fab建设,加快完善西南地区定制化基础设施。政府计划利用水坝和再生水供应工业用水,并加快建设支撑Fab运行所需的发电设施和输电网络。
同时,政府将产业园区建设周期缩短至目前的一半、控制在5年以内,并依据正在推进制定的《超级特区法》,在西南地区至少设立1个超级特区,消除企业投资相关监管障碍。
政府表示,896万亿韩元规模的投资不仅将重塑西南地区发展格局,也将重绘韩国整体经济版图,并以此次投资为契机,将西南地区打造成为继首都圈之后的第二半导体生产基地和尖端产业新战略据点。
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